锂电池保护IC 双功率场效应管 8205B

8205A 

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (20V, 6A) 

Description 

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of advanced 

trench process. It has been optimized for power management applications with a 

wide range of gate drive voltage (2.5V-10V) 

Features 

• RDS(on)=38mΩ@VGS=2.5V, ID=5.2A; RDS(on)=25mΩ@VGS=4.5V, ID=6A 

• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance 

• High Power and Current Handing Capability 

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 

• Ideal for Li ion Battery Pack Applications

Applications 

• Battery Protection 

• Load Switch 

• Power Management